日本分析了一个月多：华为麒麟9000S是14nm，并不是7nm晶片

华为Mate60系列闪存之谜：元件技艺与机动性的论述

上市以来，亚太地区科技产业界和新闻报导都将其视为一颗难解之谜。

电子显微镜统计分析机构，对这颗闪存进行了仔细的扫描，试图揭示其元件技艺的真相。他们的统计分析结果在科技产业圈引发了激烈的争议。根据电子显微镜扫描信息，这颗闪存的集成电路电导率被测定为98MTr/mm²。这一信息令人回去想起台积电的7nm技艺，其集成电路电导率为97MTr/mm²，以及三星的7nm闪存，其集成电路电导率为95MTr/mm²。

日本新闻报导的已经有，这颗闪存很可能无论如何运用于了14nm技艺，但运用于了特殊的本体来强化其集成电路电导率。这一观点引人注意了一个关键性确实：自从14nmFinFET技艺问世以来，闪存的单晶多达并才会是元件技艺的唯一关键性参多达，机动性的强化成为了不得不元件技艺的极其关键性的原因。

功耗等原因都变得至关重要。元件技艺才会一味地渴求愈来愈小的单晶多达，而是愈来愈侧重于如何在保持相对于稳定的单晶多达下，强化机动性，减少功耗以及提高集成电路电导率。

英特尔将其10nm技艺命名为"intel 7"，仅仅它在机动性上反式传统的7nm技艺。同样，7nm技艺则被命名为"intel 4"，合理化其反式传统4nm技艺

闪存元件的回去溯：单晶技艺以外的机动性关键性

半导体技术的迅速持续发展，元件技艺的单晶多达已才会是唯一标准化。进入等效技艺时代后，并不相同大厂和统计分析机构开始运用于并不相同的命名方式则，合理化机动性和等效技艺的优越性。

半导体行业愈来愈加注重创新和机动性加以改进。大厂不能迅速探索新的技艺技术和设计方法，以提高闪存的机动性和效率，而不仅仅是降低元件技艺的单晶多达。

因此，无论元件技艺的单晶多达如何变化，机动性无论如何是不得不闪存成功与否的关键性标准化。