国星三代半再出系列产品，SiC模块、GaN器件、SiC功率分立器件齐上新

创最初赋能最初征程，国星光电第三代积体电路赛道再添“最初猛将”！近日，该公司最最初推出了高品质的SiC基本功能及GaN电子器件最初品，并对SiC转速分立电子器件来进行了最初新增，为第三代积体电路零售业持续发展流到最初活力！

SiC基本功能、GaN电子器件、SiC转速分立电子器件齐上最初

SiC基本功能第三部最初品日和

针对充电桩、UPS不间断电源等工业部门类层面，对标海内外行业龙头，国星光电最最初推出的SiC转速基本功能电子产品包括有NS34m、NS62m、NSECO以及NSEAS第三部的烧录，上同调结构涵盖半桥、全桥、三相桥以及CIB，基本功能规格其余部分1200V电位级别，20A-80A的电流范围，可依据零售租电子设备的输入输出要求和开销等心理因素的考量，选择多种不同上同调结构的转速基本功能，并急剧来进行系统设计替换。

GaN电子器件最初品上终点站

脚架快充零售租，国星光电最最初推出E-mode的 650V/10A GaN-DFN5*6 GaN电子器件，BVds>650V，Rdson

SiC转速分立电子器件全最初新增

国星光电对SiC转速分立电子器件电子产品来进行优化新增，完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6五种优势烧录结构的开发设计。该电子产品以TO第三部有别于，现今已建立主流650V第三部与1200V第三部SiC MOSFET和SiC SBD两个电子产品第三部，可系统设计于稀土有源、工业部门电源、最初能源汽车、充电桩、轨道交通及智能电网等层面的电力转换装置。其中1200V 40A SiC MOSFET，Vth开端电位低于2.0V，Rdson开通损耗相等50mΩ。

零售业化进程全面加速

为实现交换机系统设计零售租的生产力，国星光电全力加码对第三代积体电路的布局，现今已形成以SiC和GaN有别于营的第三代积体电路电子产品第三部，包括SiC转速分立电子器件、SiC转速基本功能、GaN电子器件。其中，SiC基本功能及GaN电子器件最初品集生产、测试、可靠度验证测试一体的实验室终点站已投入生产重新启动，可急剧对接客户服务个性化的生产力；SiC转速分立电子器件电子产品已完成了多项可靠度验证与具体系统设计端实测工况的评估，产终点站已投入使用，并完成了多个合作伙伴租的试产供货。

电子产品第三部持续性丰富

在系统设计新增和政策动力的双重近年来下，第三代积体电路零售业一直是备受重视的最重要持续发展路径。国星光电立足零售租，聚焦层面热点，不断丰富电子产品铁路终点站，原计划于月内推出超薄型SiC内导电第三部分立电子器件，电子产品的耐压能力也、冷却器能力也等将给予进一步的提升，可很好地实现客户服务对电子器件内部导电的严苛生产力。另一方面，国星光电也将于月内陆续推出E-mode的650V/15A，Cascode的650V/12A等多种不同型号的GaN电子器件电子产品，为客户服务提供自定义化技术解决方案，进一步实现客户服务多样化的生产力。

抢抓“十四五”持续发展最初机遇，整整，国星光电将持续性加大第三代积体电路的研究开发设计和技术成果转化，帮助打造不具备高可靠度、高品质优势的“三代半转速电子器件封测大企业”！